ABRACON旗艦ABLNO系列提供進(jìn)口晶振超低相位噪聲固定時(shí)鐘或電壓控制晶體振蕩器（VCXO）解決方案標(biāo)準(zhǔn)尺寸為9x14mm。同超過(guò)12 kHz的37fs典型RMS抖動(dòng)20MHz帶寬@ 100MHz載波，ABLNO是性能驅(qū)動(dòng)的理想選擇通訊，射頻，無(wú)線回程，和儀器應(yīng)用。Abracon公司的產(chǎn)品是COTS - 商業(yè)現(xiàn)貨產(chǎn)品; 適用于商業(yè)，工業(yè)和指定的自動(dòng)化應(yīng)用。 Abracon的產(chǎn)品不是專為軍事，航空，航空航天，生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的.
較低的CL和較低的ESR提高了回路的運(yùn)行增益裕度，確保了所有變量的持續(xù)振蕩，包括偏差，負(fù)載，溫度和時(shí)間變化。 Gm_critical是石英晶振必須實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵跨導(dǎo)值，以保持在環(huán)路運(yùn)行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的晶體與Pierce振蕩器不匹配，并可能導(dǎo)致與啟動(dòng)相關(guān)的長(zhǎng)期可靠性問(wèn)題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical，部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應(yīng)用中的節(jié)能設(shè)計(jì)最有可能發(fā)生故障。進(jìn)行PAS測(cè)試可降低風(fēng)險(xiǎn)并提高系統(tǒng)的可靠性。
Abracon晶振,石英晶振,ABL6M晶振,無(wú)源石英晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
厚度單位: ?全自動(dòng)進(jìn)口石英晶振晶片清洗技術(shù)：采用高壓噴淋清洗，兆聲振動(dòng)的原理，一個(gè)全自動(dòng)、清洗過(guò)程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風(fēng)力吹水段等， 操作自動(dòng)化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設(shè)備自動(dòng)完成。根據(jù)需要，對(duì)速度，溫度，時(shí)間等參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。能最大限度除去晶片污染物，并防止人工污染。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABL6M晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12~30MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C～+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C～+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
50~100μW Max. |
推薦:50~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
焊接方法焊接部位僅局限于導(dǎo)腳型晶振離開(kāi)玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位，并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接。另外，如果利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱，會(huì)導(dǎo)致晶振特性的惡化以及晶振的破損。因此，請(qǐng)注意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下，且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下)。
關(guān)于機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言，即使進(jìn)口插件晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次，按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題，但因落下時(shí)的不同條件而異，有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí)，在使用之前，建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù)，因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響，請(qǐng)?jiān)谑褂弥埃瑧┱?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時(shí)，請(qǐng)確保晶振能正常工作。
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在49S插件晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。Abracon晶振,石英晶振,ABL6M晶振,無(wú)源石英晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)插件石英晶體諧振器輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)插件石英晶體晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)二腳石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
Abracon晶振,進(jìn)口晶振,AB晶振
泰藝晶振,進(jìn)口插件晶體,XI晶振
CTS晶振,DIP插件晶振,ATS晶振
加高晶振,49S型插件晶振,AT-49晶振
京瓷晶振,貼片晶振,CX1210DB晶振
NDK晶振,石英晶振,AT-41晶振
TXC晶振,貼片晶振,9Q晶振,無(wú)源SMD晶振
ECLIPTEK晶振,E1UAA晶振,E1UAA12-24.000M晶振