我們保持技術(shù)和市場領(lǐng)先地位，在個人導(dǎo)航設(shè)備和救援信標(biāo)等應(yīng)用中占有絕對的市場份額。通過獨(dú)特的專有流程，持續(xù)創(chuàng)新和研發(fā)，專家咨詢和不斷的技術(shù)進(jìn)步，實現(xiàn)了市場領(lǐng)先。 瑞康憑借無可挑剔的質(zhì)量控制來支持其獨(dú)創(chuàng)性，達(dá)到國際最高制造標(biāo)準(zhǔn)。主要以石英晶體技術(shù)為基礎(chǔ)，利用其獨(dú)特和自然的壓電性能，瑞康產(chǎn)品創(chuàng)造出非常精確的電信號。
瑞康石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英貼片晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則（曲率半徑公式的計算）。瑞康晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,CFPT9050晶振
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瑞康晶振 |
CFPT9050晶振 |
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壓控溫補(bǔ)晶振頻率 |
1.000MHz~80.000MHｚ |
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常用標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.3676/ 16.368/ 16.369/ 16.8/18.414/ 23.104/ 24.5535/ 26MHz |
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工作電壓 |
+2.5V+2.8V+3.0V+3.3V+5.0V+6.0V（代表值） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
1Vp-p min. |
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TCXO輸出負(fù)載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常規(guī)溫度偏差 |
±1.5×10-6(After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±1×10-6/-40℃～+85℃ |
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±1×10-6/-40℃～+85℃ |
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體諧振器產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。瑞康晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,CFPT9050晶振
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用進(jìn)口貼片晶振。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。瑞康晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,CFPT9050晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
