Transko晶振,CS71晶振,CS71-A-32.768K-7-TR晶振,Transko晶振集團(tuán)是一家位于加利福尼亞州阿納海姆的通過ISO 9001認(rèn)證的變頻控制設(shè)備解決方案供應(yīng)商,專業(yè)生產(chǎn)石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控晶振,濾波器等頻率元件.通過質(zhì)量和經(jīng)驗(yàn),自1992年以來,其他許多其他產(chǎn)品我們得到了援助.
Transko晶振,CS71晶振,CS71-A-32.768K-7-TR晶振,讓我們與眾不同的是Transko Advantage –具有快速交付能力。能夠在72小時(shí)內(nèi)提供產(chǎn)品,高度積極的銷售人員為您的頻率控制要求提供優(yōu)異的定價(jià)和無源貼片晶振解決方案。通過結(jié)合杰出員工的知識(shí)和廣泛背景,能夠解決和定制您的特定項(xiàng)目或設(shè)計(jì)需求。Transko晶振公司團(tuán)隊(duì)導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意,并使我們能夠提供最好的支持。
Transko晶振,CS71晶振,CS71-A-32.768K-7-TR晶振,貼片表晶32.768K晶振系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
SPECIFICATION-Transko晶振 | CS71晶振 |
FREQUENCY | 32.768kHz |
FREQUENCY TOLERANCE @ 25ºC | ±20ppm, ±50ppm |
TEMPERATURE COEFFICIENT | -0.034ppm ±0.006 ppm / ºC 2 |
OPERATING TEMPERATURE RANGE | -40°C ~ 85°C |
STORAGE TEMPERATURE RANGE | -55°C ~ 125°C |
TURN OVER TEMPERATURE | 25°C ± 5°C |
LOAD CAPACITANCE | STD: 12.5pF (See P/N guide for other options) |
SHUNT CAPACITANCE | 1.20pF max. |
MOTIONAL CAPACITANCE | 0.0023pF typ. |
EQUIVALENT SERIES RESISTANCE | 65kΩ max. |
INSULATION RESISTANCE | 500MΩ min. @ 100V DC ± 15V DC |
DRIVE LEVEL | 0.1µW typ. 1.0µW max. |
AGING @ 25°C ± 3°C | ±3.0ppm / 1 st year max. |
SHOCK | ±5.0ppm max. |
VIBRATION | ±5.0ppm max. |
抗沖擊
晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。Transko晶振,CS71晶振,CS71-A-32.768K-7-TR晶振.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。