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首頁 StatekCrystal晶振

Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

產品簡介

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產品詳情

Statek-2

Statek提供高精確度和高質量的貼片晶振的醫療應用。產品包裝尺寸小,功耗低,穩定性好。我們是世界一流醫療器械制造商的信賴供應商。Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產品比機械制造的水晶產品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩定性和精密頻率,低長期老化,,低功耗,非常小的足跡,優秀的耐沖擊性,超低調,在美國設計和制造和設計能力。
Statek的晶體和石英振蕩器非常堅固,使其成為對環境要求較高的應用的絕佳選擇。 我們的晶體和振蕩器可以承受高達100,000克的沖擊,并且堅固耐用。Statek為醫療應用提供高精度和高質量的石英晶體。 我們的產品具有小封裝尺寸,低功耗和高穩定性。 我們是全球領先的植入式醫療設備制造商值得信賴的供應商。

JLX-1

Statek-1

Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,工作溫度范圍:-55OC ~+200OC,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.
Statek石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。無源晶體該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。

JLX-2

RB-2

STATEK晶振

單位

CX1VHT晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-55°C ~+200°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±30 × 10-6(標準),
(±30× 10-6~
±200× 10-6可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息, http://m.mimatsu-osaka.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

9pF

不同負載要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CX1-10183_8.0_3.56

JLX-4

RB-4

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致時鐘晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致石英晶體諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。

JLX-5

RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明陶瓷貼片晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加耐高溫陶瓷面晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

sjzrhl_2

3.負載電容
如果高穩定晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數設置參考

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