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首頁 百利通亞陶晶振

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振

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產品簡介

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

產品詳情

BLT-2

百利通亞陶晶振公司生產設施已達到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認證的品質獎。Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認證。上述質量獎反映 Diodes 公司優異的品管技術,并進一步提升我們在重視質量與一致性的 OEM 業者心目中最佳廠商的地位。另外在多個據點設有工程、銷售、倉儲及物流辦公室,包括臺北、香港、曼徹斯特、中國上海、深圳、南韓城南市以及德國慕尼黑,并于世界各地設有支持辦公室。
百利通亞陶晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器設計工藝程序對員工進行培訓保護環境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產品的信息,對環境有重大健康安全和環境的運營現狀進行糾正.

JLX-1

BLT-1

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振.2520mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
百利通亞陶晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。JLX-2

RB-2

亞陶晶振

單位

FHQ晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

12.000MHz~66.000MHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

100μW Max.

推薦:10μW~100μW

頻率公差

f_— l

±10× 10-6(標準),
(±10× 10-6~
±50 × 10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com

頻率溫度特征

f_tem

±30~±50× 10-6/-40°C~+85°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

7pF~32pF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

FHQ 2520

JLX-4

RB-4

自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶體振蕩器。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
(1)陶瓷包裝產品與SON產品
在焊接陶瓷晶振產品和SON產品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。
陶瓷包裝產品
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產品時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產品
在一個不同擴張系數電路板(環氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產品時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產品
產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂(開裂),也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當石英水晶振動子產品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產品固在定電路板上。

JLX-5

RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

sjzrhl_2

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數設置參考

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