GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振
值得一提的是,它還是一款低功耗晶振。在保障高性能的同時(shí),有效降低了能耗,延長(zhǎng)了設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,減少了發(fā)熱,提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和功耗要求極高的領(lǐng)域。
GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振
頻率范圍 | 10.0 ~ 52.0兆赫 |
尺寸 | 2.5 x 2.0 x 0.8 毫米 |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -40 至 +85°C |
電源電壓穩(wěn)定性 | ±0.2 頁(yè)/分鐘DD 系列±5% |
負(fù)載穩(wěn)定性 | ±0.2 頁(yè)/分鐘L±10% |
頻率斜率 | ±0.05ppm/°C 超過(guò) -30+85°C |
老化 | 第一年最高 ±1.0ppm |
電源電流 | 最大 1.5~2.0mA |
輸出波形 | 削波正弦,0.8V p-p,+DC 偏移 |
試驗(yàn)載荷 (ZL) | 10kΩ // 10pF |
啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 3ms |
諧波 | 最大 -5dBc |
相位噪聲 | -130dBc/Hz @ 1kHz |
頻率容差 @ 25°C | 最大 ±2.0ppm,回流焊后 60 分鐘 |
GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振
GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振
所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。