HOSONIC晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策：實行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.鴻星晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.
石英晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則（曲率半徑公式的計算）。
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鴻星晶振 |
單位 |
HCX-5SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
8~80MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100~300μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10PPM,±30PPM,±50PPM |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-30°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10PF |
不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-30°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性：將SMD晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片石英晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5SB晶振,無源貼片諧振器
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
(2)SMD石英晶體產(chǎn)品回流焊接條件圖:用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
1.時序表
2.測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。?5032石英晶體諧振器 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線.)鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5SB晶振,無源貼片諧振器
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的進(jìn)口石英晶振諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的播放器5032晶振效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
希華晶振,貼片晶振,SX-5032晶振,臺灣進(jìn)口晶振
鴻星晶振,貼片晶振,HCX-5FA晶振,臺產(chǎn)晶體諧振器
村田晶振,TSS-5032A晶振,XRCLK10M000F1QA8P0晶振
村田晶振,TAS-5032F晶振,XRCLH10M000F1QA4P0晶振
微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振,石英SMD晶振
NDK晶振,貼片晶振,NX5032SA晶振,進(jìn)口晶振