2013年,ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現有的石英晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應鏈。ILSI現在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高,因此2013年需要開設兩個新的區域銷售辦事處,負責處理洛杉磯,加利福尼亞州,加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區。
ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎設施下的品牌實體進行了積極的營銷和銷售。通過時鐘晶體增長和收購帶來的銷量增加需要重新調整我們的銷售渠道,以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個地區代表組成,覆蓋50個美國,加拿大西部和東部,墨西哥,亞洲,英國,波蘭,德國,法國,意大利,奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分銷商,地區分銷,美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎設施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。
ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
晶振的真空封裝技術:是指無源晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。 石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。2012無源2腳晶振,32.768音叉KHZ晶體,KX-327RT晶振
ILSI晶振 |
單位 |
IL3T晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:0.5μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 |
+25°C對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
-0.036× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
所有無源石英晶體和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。電源線路:電源的線路阻抗應盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英進口晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。
進口石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。2012無源2腳晶振,32.768音叉KHZ晶體,KX-327RT晶振
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到石英進口2012SMD晶振電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。ILSI晶振,貼片晶振,IL3T晶振,石英無源晶振
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設計中,必須認識到2012貼片晶振個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.7687KHZ晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值(RD)取決于的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過2012mm無源晶體測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。2012無源2腳晶振,32.768音叉KHZ晶體,KX-327RT晶振