京瓷晶振,有源晶振,KC2520B-C1晶振,KC2520B24.0000C10E00晶振,石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
有源晶振,是只壓電石英晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
為打造能讓客戶滿意的質量，京瓷晶振集團制定了“京瓷晶振質量方針”。 所有業務均根據該京瓷晶振品質方針來開展，力爭成為全球信賴的企業。另外，從計劃階段著手，致力于為客戶提供滿意的石英晶體振蕩器產品。京瓷晶振質量方針：1.優先考慮地球環境與產品安全。2.堅持客戶第一原則，提供富有魅力的產品與服務。3.從最初開始，正確地工作，成為全球質量領軍企業。
京瓷晶振所有的生產線都具備順應時代變化的速度感，通過融合集團的獨特技術，進一步積極創造新產品、開拓新市場。為了回應客戶的期待，京瓷石英晶體振蕩器,有源晶振，石英晶振,壓控振蕩器,在價格、質量、服務等所有方面都滲透“客戶第一”的理念，不斷為全球市場奉獻新價值。
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京瓷晶振規格 |
KC2520B-C1晶振 |
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驅動輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
1.5~125MHZ |
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工作電壓 |
+1.6~3.63V（代表値） |
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靜態電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz)+1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常規溫度偏差 |
±20/30/50×10-6(After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
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±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
Kyocera日產有源兆赫茲晶振型號列表：
Kyocera日產有源兆赫茲晶振代碼列表：
Series
Part Status
Frequency 頻率
Voltage - Supply電壓
Operating Temperature 工作溫度
Size / Dimension 尺寸
Height - Seated (Max)高度
KC2520K, Kyocera
Active
40MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.031" (0.80mm)
KC2016K, Kyocera
Active
24.576MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
0.031" (0.80mm)
KC2016K, Kyocera
Active
24.576MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
0.031" (0.80mm)
KC2016K, Kyocera
Active
24.576MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
0.031" (0.80mm)
KC2520B-C1, Kyocera
Active
24MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
KC2520B-C1, Kyocera
Active
24MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
KC2520B-C1, Kyocera
Active
24MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
KC2520B-C1, Kyocera
Active
48MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
Manufacturer Part Number
Manufacturer
Series
Part Status
Frequency 頻率
Voltage - Supply電壓
Operating Temperature 工作溫度
Size / Dimension 尺寸
Height - Seated (Max)高度
KC2520K40.0000C1GE00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2520K, Kyocera
Active
40MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.031" (0.80mm)
KC2016K24.5760C1GE00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2016K, Kyocera
Active
24.576MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
0.031" (0.80mm)
KC2016K24.5760C1GE00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2016K, Kyocera
Active
24.576MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
0.031" (0.80mm)
KC2016K24.5760C1GE00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2016K, Kyocera
Active
24.576MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-40°C ~ 85°C
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
0.031" (0.80mm)
KC2520B24.0000C10E00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2520B-C1, Kyocera
Active
24MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
KC2520B24.0000C10E00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2520B-C1, Kyocera
Active
24MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
KC2520B24.0000C10E00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2520B-C1, Kyocera
Active
24MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
KC2520B48.0000C10E00
AVX Corp/Kyocera Corp
KC2520B-C1, Kyocera
Active
48MHz
1.6 V ~ 3.63 V
-10°C ~ 70°C
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
0.028" (0.70mm)
機械振動的影響:當低抖動晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。京瓷晶振,有源晶振,KC2520B-C1晶振,KC2520B24.0000C10E00晶振
晶振產品使用每種產品時,請在愛普生振蕩器規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
2520晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。
此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。京瓷晶振,有源晶振,KC2520B-C1晶振,KC2520B24.0000C10E00晶振
驅動能力:驅動能力說明CMOS輸出振蕩器振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在金屬面有源四腳晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過四腳貼片晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。
EPSON晶體,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
京瓷晶振,有源晶振,KC2520C-C1晶振,KC2520C38.4000C1YE00晶振
TXC晶振,有源晶振,8W晶振,8W-12.000MBA-T晶振