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首頁 拉隆晶振

Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

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產品簡介

小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應20.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產品詳情

Ral-1

成立于邁阿密,在1983年,Raltron電子公司已經發展成為其中之一公認的經驗豐富的頻率管理產品制造商在世界各地。從簡單音叉晶體到高穩定性控制晶體振蕩器,Raltron提供最多全行業的頻率管理設備。Raltron通過全球獨立銷售網絡為全球客戶提供支持代表以及亞洲的幾個附屬辦事處,戰略地位于主要客戶附近和市場。該公司的產品由幾家大型全球經銷商分銷目錄房屋以及區域經銷商處理具體的市場。
Raltron自豪地為消費電子市場提供晶體,調諧叉,時鐘振蕩器,鋸設備,陶瓷諧振器,LTCC RF陶瓷產品和天線。該產品旨在滿足消費者應用的關鍵要求,如電池操作相關的低尺寸,小尺寸和低功耗。Raltron Electronics致力于為符合歐盟議會和2011年6月08日理事會2011/65 / EU指令的頻率管理設備提供限制在電氣和電子設備中使用某些有害物質(RoHS指令)。

JLX-1

Ral-2

Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振.外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Raltron貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定。

JLX-2

RB-2

Raltron晶振

單位

R2016晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

20.000MHz~80.000MHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+60°C/-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

100μW Max.

推薦:100μW

頻率公差

f_— l

±50×10-6(標準),
(±10×10-6~
±50×10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/

頻率溫度特征

f_tem

±10~±50×10-6/-20°C~+70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF~22pF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-10°C~+60°C,DL=100μW

頻率老化

f_age

±5×10-6/year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

R2016 2016

JLX-4

RB-4

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

JLX-5

RB-5

設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

sjzrhl_2

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數設置參考

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