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首頁 瑞薩renesas晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振

產品簡介

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振,Renesas晶振,XA有源晶振,XAL335125.000000I晶振,3225mm晶振,超精密晶體振蕩器,進口貼片晶振,頻率125MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低成本晶振,6G應用晶振,移動應用晶振,消費電子產品晶振,車載應用晶振.





產品詳情

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Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振,Renesas晶振,XA有源晶振,XAL335125.000000I晶振,3225mm晶振,超精密晶體振蕩器,進口貼片晶振,頻率125MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低成本晶振,6G應用晶振,移動應用晶振,消費電子產品晶振,車載應用晶振.

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振特點:

符合AEC-Q200標準

頻率范圍:0.750MHz至1350MHz

輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

頻率穩定性:±25,±50,或±100 ppm

供電電壓:2.5V或3.3V

相位抖動(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

包裝選項:

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

工作溫度:-40°C至+85°C(3級)

•穩定性選項:±25,±50,或±100 ppm

工作溫度:-40°C至+105°C(2級)

•頻率穩定性選項:±50或±100 ppm

高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振參數表

項目 符號 規格說明 條件
額定頻率 f_nom 125MHz 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓 Vcc 3.3V±0.3V
儲存溫度 T_stg -55℃~+125℃ 裸存
工作溫度 T_use -40℃~ +85℃
頻率公差(標準) f_tol ±50ppm +25℃,超出標準的規格說明請聯系我們以便獲取相關信息
供電電流 IDD 100mA Max OE=Vcc,L LVDS
差分輸出電壓 VOD 0.6V Max VDD = 3.3V ±5%.
對稱性 SYM 45%~55% Atoutputscrossing point
輸出負載 L_LVDS 100Ω LVDS
輸入電壓 VIH 70%Vcc Min LVDS
VIL 30%Vcc Max
上升下降時間 tr/tf 400ps Max LVDS 20% to 80% Vpp
起始時間 t str 10ms Max VDD達到最小指定水平后輸出有效時間
周期抖動 JPER

3ps Typ

LVDS
相位抖動 tpj 890fs Typ 12KHZ~20MHz
老化 f_aging ±10ppm/year +25℃,第一年,Vcc=2.5V,3.3V

高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XAL335125.000000I,3225mm,6G低相噪晶振尺寸

XA-3225

XA

XA-1

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