SiTime擁有一個世界級的模擬工程團隊，該團隊提供了業(yè)內最高的性能和最靈活的石英晶體振蕩器。自2006年我們的第一次產品介紹以來，我們改進了頻率穩(wěn)定性性能250次(以性能指標衡量)，改進了抖動性能800次，改善了艾倫偏差3萬次，并改善了功耗100次，同時保持了我們的產品的靈活性和可靠性。計時產品提供了所有數(shù)字電子系統(tǒng)的心跳。在所有主要的市場中，有超過5000個客戶在200多個應用中使用SiTime產品。
SiTime正在為電子產品的小型化提供支持，它提供的時間解決方案是行業(yè)中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及減少元件數(shù)量的獨特功能。我們的晶振通過將同一包中的多個組件的功能組合在一起，從而減少了董事會空間。SiTime改變了時機市場。在過去的幾十年里，石英晶體振蕩器、時鐘發(fā)生器和諧振器是電子器件中主要的參考計時元件。2.0*1.2mm晶體振蕩器,千赫茲有源晶體,SiT1533晶振

SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振.產品本身有兩個輸出電壓選項。一種選擇是標準的LVCMOS輸出擺幅。第二個選項是NanoDrive減少擺動輸出。輸出擺幅是客戶特定的，在200 mV和800 mV之間編程。直流耦合應用，輸出VOH和VOL單獨編程，以滿足客戶的要求。 VOH編程范圍為100 mV增量，介于600 mV和1.225V之間。同樣，VOL編程范圍在350 mV和800 mV之間。例如; PMIC或MCU內部為1.8V邏輯兼容，需要1.2V VIH和0.6V VIL。
SiTime有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。

抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。2.0*1.2mm晶體振蕩器,千赫茲有源晶體,SiT1533晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶體振蕩器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞美國有源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量
必須盡可能地測量安裝在電路上的2012貼片晶振振蕩頻率的真實值，
使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,
我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振
有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最
精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應該注意到，使用這種方法32.768K石英晶體振蕩器輸出波形較小，測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。2.0*1.2mm晶體振蕩器,千赫茲有源晶體,SiT1533晶振

此外，OSC晶振振蕩頻率與測量點不同。
1。測量緩沖輸出
2。振蕩級輸出測量
三.通過電容器測量振蕩級輸出

圖5示出以上1-3個測量點和所測量的
除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。