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首頁 CTS晶振

CTS晶振,貼片晶振,TFA20晶振,石英晶體諧振器

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產品簡介

此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現代SMT工藝帶來高速的工作效率,32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點,此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

產品詳情

進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

1999,CTS收購了摩托羅拉的組件產品部門(CPD)。更名為CTS的無線組件,這一收購將CTS在新興的手機和基站市場前沿通過陶瓷過濾器的制造,雙工器和其他通信組件。此外,90年代后期與美國動力公司(DCA)的合并,增強了CTS晶振作為電子元件的主要生產商的地位。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購,在精度和頻率的晶體振蕩器的設計制造的領導者。此次收購擴大了CTS的技術和工程能力。
作為CTS過渡到上世紀70年代,環境污染問題導致美國政府授權的汽車排放控制要求。節氣門位置傳感和排氣再循環控制的需要將CTS浸入到引擎蓋和底盤位置傳感器業務中,為公司打開新的市場機會。在之后的十年,為了滿足不斷增長的全球市場需求,CTS完成擴建石英晶工廠在墨西哥,新加坡,蘇格蘭,美國,加拿大,香港和臺灣,進一步增加了CTS的全球影響力。


進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

CTS晶振,貼片晶振,TFA20晶振,石英晶體諧振器,32.768K音叉型石英晶體諧振器產品具有以下幾種規格,∅3*8,∅2*6,我公司所有材料均是來自日本進口,封裝測試設備采用日本精工儀器設備,并且從日本聘請高級技術工程師,我司所生產的32.768K晶體具備一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產品使用溫度高溫可達到+70°低溫可達到-40°產品被廣泛應用到比較高端的汽車電子產品,民用產品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產品。
通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重進口貼片晶振研磨過程的各種細節,注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司。

進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

CTS晶振

單位

TF16晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+125°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.1~0.5μW Max.

推薦:0.1~0.5μW

頻率公差

f_— l

±10,20× 10-6

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/

頻率溫度特征

f_tem

±15~±100× 10-6/-30°C~+85°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

5,7,9,12.5PF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

TFA20 2012

進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

一般來說,無源陶瓷晶振微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。CTS晶振,貼片晶振,TFA20晶振,石英晶體諧振器

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是進口石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

20180607084414

線路連接的電阻(R)與晶體串聯(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果音叉型的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。

進口無源SMD晶體,2012千赫茲諧振器,TFE20晶振

負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致2012石英晶體諧振器蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。CTS晶振,貼片晶振,TFA20晶振,石英晶體諧振器

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。音叉型石英晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后,后續的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在千赫茲貼片晶振振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

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此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過32.768K時鐘晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

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