在2010年全球晶振廠家排名中,占據首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業,主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠遠達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.

因此除了KHZ,MHZ的研究發展,另外還發明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現以基波方式產生2.5GHz為止高頻的表面聲波（SAW）元器件.愛普生拓優科夢把半導體（IC）稱之為“產業之米”,并認為石英晶體元器件更是離不開的“產業之鹽”.將進一步致力于小型、高穩定、高精度晶體元器件的開發,為現有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景. 　愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優科夢的晶振元器件已以23%的市場占有率位于業界第一.

EPSON晶體,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩定。

小型貼片3225晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210STF	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	33.330000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	125.006250 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG3225VAN	200.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0041710298	SG-210STF	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710299	SG-210STF	4.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710300	SG-210STF	33.330000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710304	SG-210STF	10.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0042410001	SG3225VAN	125.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410002	SG3225VAN	125.006250 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410004	SG3225VAN	100.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042410005	SG3225VAN	200.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存壓電石英晶體時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。EPSON晶體,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。

金屬面晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。

每個封裝類型的注意事項.

振蕩補償:除非在進口晶體振蕩器振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過3225車載設備振蕩器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下小體積OSC振蕩器（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。

振蕩補償:除非在金屬面貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。