一区二区三区精品道_亚洲国产精品久久水玲珑_亚洲午夜一区二区三区_人妻女同性恋一区_免费美女视频久久久久_一区二区三区毛AAAA片特级_果贷一区二区三区在线_樱桃视频免费观看

您好，歡迎踏入金洛鑫電子有限公司

金洛鑫公眾號 金洛鑫公眾號 | 關(guān)于金洛鑫| 添加收藏| 網(wǎng)站地圖| 會員登錄| 會員注冊

熱門關(guān)鍵詞 : 聲表面濾波器陶瓷諧振器熱敏晶體熱敏晶振嘉碩晶振大河晶振亞陶晶振加高晶振TCXO晶振霧化片

當(dāng)前位置：首頁 » 新聞動態(tài) » CTS開發(fā)用于日立sic基電動汽車動力模塊的電流感測

CTS開發(fā)用于日立sic基電動汽車動力模塊的電流感測

返回列表 來源：金洛鑫 瀏覽：- 發(fā)布日期：2025-08-29 14:24:16【大 中 小】
分享到：

CTS開發(fā)用于日立sic基電動汽車動力模塊的電流感測


       在全球倡導(dǎo)環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的大背景下,電動汽車產(chǎn)業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展,已然成為汽車電子晶振行業(yè)變革的重要驅(qū)動力.在電動汽車技術(shù)不斷革新的進(jìn)程中,碳化硅(SiC)作為一種極具潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料,正逐漸嶄露頭角,掀起了電動汽車動力模塊的關(guān)鍵變革.與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC材料具備卓越的物理特性,為電動汽車帶來了顯著的性能提升.其禁帶寬度約為硅的三倍,這使得SiC器件能夠承受更高的電壓和溫度,且具有更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗.在電動汽車的牽引逆變器中,采用SiCMOSFET可大幅提高功率密度,使逆變器在更小的體積內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出.相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,使用SiCMOSFET替代傳統(tǒng)硅基IGBT,可使逆變器的功率密度提升約3倍.這不僅有助于車輛的輕量化設(shè)計,還能減少車內(nèi)布線復(fù)雜度,優(yōu)化空間布局,讓電動汽車的內(nèi)部構(gòu)造更加簡潔高效.SiC的高效能特性在提升電動汽車?yán)m(xù)航里程方面也表現(xiàn)突出.由于其低損耗特性,在車輛行駛過程中,電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的效率更高,從而降低了整車能耗.以某款電動汽車為例,在采用SiC功率器件后,其續(xù)航里程相比使用硅基器件時增加了約10%,有效緩解了消費者的"里程焦慮".在充電環(huán)節(jié),SiC技術(shù)同樣發(fā)揮著重要作用.搭載SiC器件的車載充電器(OBC)和直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的充電效率,縮短充電時間.如一些支持800V高壓快充的電動汽車,借助SiC技術(shù),可在短短十幾分鐘內(nèi)將電量從20%充至80%,大大提升了用戶體驗,讓充電不再是漫長的等待.

1

       SiC材料的高熔點和良好的熱導(dǎo)率使其能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作.其熔點高達(dá)2830℃,約為硅的兩倍,熱導(dǎo)率是硅的三倍以上.這一特性對于電動汽車的散熱管理至關(guān)重要.在電動汽車運行過程中,功率器件會產(chǎn)生大量熱量,傳統(tǒng)硅基器件在高溫下性能會受到影響,甚至可能出現(xiàn)故障.而SiC器件憑借其耐高溫晶振特性,可在更高的溫度下正常工作,減少了對復(fù)雜散熱系統(tǒng)的依賴,降低了車輛的散熱成本和重量,為電動汽車的穩(wěn)定運行提供了有力保障.SiC的高頻特性也為電動汽車帶來了諸多優(yōu)勢.在開關(guān)頻率方面,硅IGBT的開關(guān)頻率絕對上限約為100kHz,而SiC可將這一數(shù)值提高一個數(shù)量級,達(dá)到約1MHz.更高的開關(guān)頻率使得電力電子設(shè)備能夠使用更小的磁性元件和電容,進(jìn)一步減小了設(shè)備體積和重量,同時還能降低電磁干擾,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性.在電動汽車的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,采用SiC器件可使電機(jī)的控制更加精準(zhǔn),運行更加平穩(wěn),降低電機(jī)噪聲,提升車內(nèi)的靜謐性和舒適性,讓駕駛體驗更加愜意.
       隨著SiC技術(shù)在電動汽車動力模塊中的廣泛應(yīng)用,電流感測對于SiC基動力模塊的重要性也日益凸顯.電流感測就像是SiC基動力模塊的"眼睛",能夠?qū)崟r監(jiān)測電流的變化,為整個動力系統(tǒng)的穩(wěn)定運行和高效控制提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持.在SiC基動力模塊中,由于SiC器件的高功率密度和快速開關(guān)特性,電流的變化更加復(fù)雜和迅速,這就對電流感測技術(shù)提出了更高的要求.在電流感測領(lǐng)域,CTS公司堪稱行業(yè)的佼佼者,擁有深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和卓越的創(chuàng)新能力,在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛的認(rèn)可與信賴.CTS專注于為各類復(fù)雜應(yīng)用場景提供高精度,高可靠性的電流感測解決方案,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航空航天晶振,工業(yè)自動化,醫(yī)療設(shè)備以及交通運輸?shù)缺姸嚓P(guān)鍵領(lǐng)域,憑借其出色的性能和穩(wěn)定的質(zhì)量,成為眾多知名企業(yè)的首選合作伙伴.

2

       當(dāng)談及CTS用于日立SiC基電動汽車動力模塊的電流感測技術(shù)時,霍爾效應(yīng)技術(shù)是其中的核心所在.霍爾效應(yīng),這一由美國物理學(xué)家霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)的電磁效應(yīng),為現(xiàn)代電流感測技術(shù)奠定了堅實的基礎(chǔ).其原理基于載流子在磁場中受到洛倫茲力的作用.當(dāng)電流通過置于磁場中的導(dǎo)體時,電子的運動方向會因洛倫茲力而發(fā)生偏轉(zhuǎn),從而在導(dǎo)體的兩側(cè)產(chǎn)生電勢差,這個電勢差即為霍爾電壓.通過精確測量霍爾電壓的大小,就能準(zhǔn)確推算出流過導(dǎo)體的電流值.CTS晶振在應(yīng)用霍爾效應(yīng)技術(shù)時,展現(xiàn)出了非凡的技術(shù)實力,使得該技術(shù)在SiC基動力模塊電流感測中具備諸多顯著特點.高精度是其最為突出的優(yōu)勢之一,得益于先進(jìn)的信號處理算法和精密的制造工藝,CTS電流傳感器能夠?qū)崿F(xiàn)極高的測量精度,可精確檢測到微小的電流變化,為動力模塊的精準(zhǔn)控制提供了可靠的數(shù)據(jù)支撐.例如,在某些對電流精度要求苛刻的應(yīng)用場景中,CTS傳感器的測量精度可達(dá)到±0.1%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了行業(yè)平均水平.寬電流范圍也是CTS電流感測技術(shù)的一大亮點.它能夠適應(yīng)從微小電流到數(shù)千安培的大電流測量需求,無論是電動汽車在啟動瞬間的大電流沖擊,還是在正常行駛過程中的小電流穩(wěn)定運行狀態(tài),CTS傳感器都能輕松應(yīng)對,準(zhǔn)確捕捉電流的實時變化,確保動力模塊在各種工況下都能穩(wěn)定,高效地運行.
       低相移特性對于高速開關(guān)的SiC基動力模塊至關(guān)重要.在SiC器件快速開關(guān)的過程中,電流的變化極為迅速,傳統(tǒng)電流感測技術(shù)可能會因相移問題導(dǎo)致測量誤差和控制延遲.而CTS的電流感測技術(shù)通過優(yōu)化設(shè)計和先進(jìn)的補(bǔ)償算法,極大地降低了相移,能夠快速,準(zhǔn)確地跟蹤電流的動態(tài)變化,實現(xiàn)對動力模塊的實時控制,有效提高了系統(tǒng)的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性.此外,CTS電流傳感器還具備良好的線性度,其輸出信號與被測電流之間呈現(xiàn)出高度的線性關(guān)系,這使得信號處理和數(shù)據(jù)分析變得更加簡單和準(zhǔn)確.在實際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)傳感器的輸出信號直接進(jìn)行計算和判斷,無需復(fù)雜的校準(zhǔn)和修正過程,大大提高了工作效率和系統(tǒng)的可靠性.


CTS開發(fā)用于日立sic基電動汽車動力模塊的電流感測

317LB5I1555T CTS 317 VCXO 155.52 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -40°C ~ 85°C
317LB5I1562T CTS 317 VCXO 156.25 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -40°C ~ 85°C
317LB5I1660T CTS 317 VCXO 166 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -40°C ~ 85°C
317LB6C1000T CTS 317 VCXO 100 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
317LB6C1228T CTS 317 VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
317LB6C1250T CTS 317 VCXO 125 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
317LB6C1536T CTS 317 VCXO 153.6 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
317LB6C1555T CTS 317 VCXO 155.52 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
317LB6C1562T CTS 317 VCXO 156.25 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
317LB6C1660T CTS 317 VCXO 166 MHz HCMOS 3.3V ±20ppm -20°C ~ 70°C
334C1000B3C2T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1000B3C3T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1000B3I2T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1000B3I3T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1000B4C2T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1000B4C3T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1000B4I2T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1000B4I3T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1000B5C2T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1000B5C3T CTS 334C VCXO 100 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1062B3C2T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1062B3C3T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1062B3I2T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1062B3I3T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1062B4C2T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1062B4C3T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1062B4I2T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1062B4I3T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1062B5C2T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1062B5C3T CTS 334C VCXO 106.25 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1228B3C2T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1228B3C3T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1228B3I2T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1228B3I3T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1228B4C2T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1228B4C3T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1228B4I2T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1228B4I3T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1228B5C2T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1228B5C3T CTS 334C VCXO 122.88 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1250B3C2T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1250B3C3T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1250B3I2T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1250B3I3T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1250B4C2T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1250B4C3T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1250B4I2T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1250B4I3T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1250B5C2T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1250B5C3T CTS 334C VCXO 125 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1320B3C2T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1320B3C3T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -20°C ~ 70°C
334C1320B3I2T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1320B3I3T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm -40°C ~ 85°C
334C1320B4C2T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1320B4C3T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -20°C ~ 70°C
334C1320B4I2T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 2.5V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1320B4I3T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 3.3V ±30ppm -40°C ~ 85°C
334C1320B5C2T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm -20°C ~ 70°C
334C1320B5C3T CTS 334C VCXO 132 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm -20°C ~ 70°C