Single crystal crystal oscillator電路設(shè)計
40多年前IQD Frequency Products Ltd在英國某個繁華地區(qū)成立,是歐洲重要的頻率控制元器件供應(yīng)商之一,主要研發(fā),設(shè)計,生產(chǎn)和銷售石英晶體,石英晶體振蕩器,VCXO壓控振蕩器,TCXO溫補振蕩器,OCXO恒溫振蕩器,GPS模塊恒溫晶振,銣振蕩器等頻率元件。擁有幾十年石英水晶組件生產(chǎn)經(jīng)驗,可提供樣品開發(fā),電氣測試和篩選,新設(shè)計,晶振解決方案,現(xiàn)有樣品供應(yīng),技術(shù)支持等服務(wù)。豐富的相關(guān)理論知識,使IQD晶振公司在行業(yè)擁有不小的地位,今天為大家介紹下IQD公司單晶體振蕩器的電路。
大多數(shù)現(xiàn)代晶體振蕩器電路屬于兩種設(shè)計類別之一:Colpitts/Clapp振蕩器和Pierce振蕩器。還有其他類型的單晶體管振蕩器(例如Hartley和Butler),但它們的用途和應(yīng)用超出了本討論的范圍。對于振蕩的電子電路,必須滿足兩個標準。它必須包含一個具有足夠增益的放大器,以克服反饋網(wǎng)絡(luò)(在這種情況下為石英晶體)的損耗,并且整個電路周圍的相移為0°或360°的某個整數(shù)倍。要設(shè)計一個晶體振蕩器必須是真實的,但有許多其他因素包括晶體功耗,不需要的模式抑制,晶體負載(晶體在振蕩開始時看到的實際阻抗)和非線性的引入在增益中限制振蕩積累。
考慮一下圖1中Colpitts/Clapp振蕩器的簡單電路。
如果沒有正確的模擬工具,這個電路在振蕩頻率上具有負電阻(必須超過晶體等效串聯(lián)電阻),初始增益超過1(允許振蕩器啟動),一旦下降到統(tǒng)一振蕩開始,然后通過晶體管基極發(fā)射極結(jié)上的電壓限制或晶體管集電極電流不足來穩(wěn)定。
標記為X的元件是電抗(電容器和/或電感器),以使石英振蕩器負載電容與所選晶體的電容匹配(串聯(lián),20pF,30pF等)。標記為Y的元件僅用于泛音晶體。它通常是與電容器串聯(lián)的電感器。其目的是使C2在您想要抑制的頻率上看起來具有感應(yīng)性,但在選定的工作泛音頻率下看起來仍然是電容性的。
對于AT切割晶體,通過仔細選擇元件值,可以使該電路從大約1MHz振蕩到200MHz以上,同時完全控制晶體驅(qū)動電平和晶體負載阻抗。對于穩(wěn)定的低噪聲貼片振蕩器,晶體管的選擇至關(guān)重要。理想情況下,它將是一個具有低內(nèi)部電容的高頻,低噪聲晶體管(推薦使用~1至5GHz的Ft)。對于中/高頻振蕩器,嘗試使用BFS17或BFR92。對于低頻振蕩器,2N2369A或BSV52工作良好。不建議使用BC107型晶體管。
Colpitts和Clapp振蕩器是相同設(shè)計的變體。在圖1中,Colpitts變體不使用組件X來調(diào)整頻率,而是僅依賴于抽頭槽C1和C2。串聯(lián)元件X的加入使Colpitts振蕩器成為Clapp振蕩器。Clapp變體是優(yōu)選的,因為改變C1和C2的值/比率將改變振蕩器特性并可能對振蕩器產(chǎn)生不利影響。
圖2是使用BFS17晶體管制作工作振蕩器的各種頻率下的典型起始值表。晶體負載電容選擇為大約20pF,晶體功耗選擇為大約100μW。所有值都需要優(yōu)化,以適應(yīng)實際選擇的晶體,所選晶體管和所需的振蕩器性能(相位噪聲,短期穩(wěn)定性,輸出電壓電平,晶體驅(qū)動電平,晶體負載阻抗等)
Freq,ESR,C0是所選晶體的功能。
Ra,Rb,Re,C1,C2,X是所選擇的電路值。
NegR,Gain是晶體在振蕩開始之前看到的初始條件。
Vout是振蕩穩(wěn)定后晶體管發(fā)射極的預(yù)期pk/pk電壓。
Colpitts/Clapp有源晶體振蕩器的輸出通常取自晶體管的發(fā)射極,即電路中的最低阻抗點。必須非常注意如何加載這一點,以免反映回振蕩器環(huán)路并對振蕩器性能產(chǎn)生不利影響。晶體管發(fā)射極上的波形是不是正弦曲線,而是一個典型的0.3V/1Vpk/pk和15%/30%占空比的小圓形“方波”。這是因為循環(huán)正弦振蕩器電流在晶體,X,C1,C2環(huán)路周圍流動,晶體管每個周期只提供一個“瞬間”電流,以彌補晶體,X,C1,C2環(huán)路中的電阻損耗。
不建議從晶體管的基極或晶體兩端獲取電壓,因為這些是非常高的Q電路中的高阻抗點。加載電路中的微小變化將對振蕩器性能產(chǎn)生大的(并且可能是災(zāi)難性的)影響。
圖3中的皮爾斯振蕩器類似于圖1中的科爾皮茲/克拉普振蕩器,不同之處在于晶振不能以地為參考。它可以通過AT切割晶體從大約1MHz振蕩到200MHz以上,但是具有更易于用于低頻(32kHz)音叉型晶體的附加優(yōu)點。
圖4是各種頻率下制作工作振蕩器的典型起始值表。與Colpitts/Clapp振蕩器一樣,晶體負載電容選擇為約20pF,晶體功耗選擇為約100μW。同樣,所有值都需要優(yōu)化以適應(yīng)實際選擇的晶體,所選擇的晶體管和所需的振蕩器性能。組分X和Y的功能與Colpitts/Clapp振蕩器相同。
Freq,ESR,C0是所選晶體的函數(shù).Ra,Rb,Re,C1,C2,X是所選擇的電路值.NegR,增益是晶體在振蕩開始之前看到的初始條件.Vout是預(yù)期的pk/pk振蕩穩(wěn)定后晶體管發(fā)射極的電壓。
電容器C1和C2在設(shè)置初始增益,負電阻和晶體驅(qū)動電平方面起著重要作用,因此只有在其效果完全理解和可接受時才應(yīng)用于調(diào)整有源晶振頻率。
調(diào)諧的更好選擇是使用電抗X.該電抗不需要是單個元件,它可以是電容器,電感器和電阻器的組合,只要它們在感興趣的頻率下提供所需的總電抗。對于機械調(diào)諧,部分電抗X可以是可變電容,如圖5所示,或者對于電壓調(diào)諧,它可以是變?nèi)荻O管,如圖6所示。
對于皮爾斯振蕩器,輸出通常取自晶體管集電極,但負載約束和波形形狀仍然是根據(jù)Colpitts/Clapp振蕩器。如果振蕩器需要調(diào)諧,那么這可以通過改變晶體看到的無功負載來實現(xiàn)。在上述兩種設(shè)計中(圖1和圖3),電抗性負載大致為C1,C2和X串聯(lián)。
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