透過圖文發(fā)現(xiàn)貼片晶振激光減薄工藝及刻蝕圖形的優(yōu)缺點

來源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2018-03-28 17:29:08【大中小】

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現(xiàn)如今激光刻蝕頻率微調(diào)是海內(nèi)外各大晶振廠家經(jīng)常用在貼片晶振生產(chǎn)過程的新型加工技術(shù)，是科學(xué)家們長期艱苦鉆研的結(jié)果，可以讓廠家們快速大量的批量制造晶振。算是一種比較快捷的途徑，所以在享受這種加工技術(shù)的同時，也會產(chǎn)生弊端。接下來讓金洛鑫電子用論文以及示意圖，為大家分析分析，激光減薄工藝的優(yōu)勢以及劣勢。

激光減薄工藝的優(yōu)點在于,只減薄表面銀層,并不傷及晶片本身;同時由于不改變電極有效面積,因而對石英晶振晶片本身電性能參數(shù)影響不大;刻蝕圖形選擇較靈活;刻蝕外形美觀,肉眼幾乎看不出痕跡。

而其缺點在于可調(diào)的頻率微調(diào)量小,真空中最大只能調(diào)節(jié)到500ppm左右,而大氣中最大只能調(diào)節(jié)到100ppm左右。而在需要較大頻率微調(diào)量的情況下,加在激光強度,很容易就會把中央膜層擊穿,完全打光,而這樣就會對石英晶體晶片的電性能參數(shù)及頻率曲線造成嚴重損害,并且刻蝕表面不美觀。

激光刻蝕圖形：

所謂激光刻蝕圖形,是指以一定的圖形在石英晶體諧振器晶片表面膜層上進行掃描,并把被掃描處的膜層全部刻光,剝落出石英晶片。其示意圖如下圖所示。

激光刻蝕工藝的刻蝕圖形：

實驗中用到的刻蝕圖形如下圖所示。為圓環(huán)形刻蝕,環(huán)與環(huán)之間線寬為激光刻蝕最小線寬0.02m。

同激光減薄一樣,激光刻蝕工藝的圖形也十分靈活,可根據(jù)需要進行繪制。

激光刻蝕圖形工藝的優(yōu)、缺點：

用激光刻蝕圖形,把SMD晶振晶片表面電極層部分完全剝落的方法,其優(yōu)點首先在于頻率微調(diào)量大,大氣中即可達到2000pm以上的頻率微調(diào)量。

其次,刻蝕圖形的方法,可以對無源晶振晶片一面進行加工,而實現(xiàn)兩面同時同剝落其次,刻蝕圖形的方法,可以對晶片一面進行加工,而實現(xiàn)兩面同時同剝落。

第三,由于在生產(chǎn)過程中,晶片表面的電極層是靠掩膜鍍敷到晶振晶片表面上的,在掩膜的過程中,邊緣處會產(chǎn)生散射,使得沉積在晶片上的銀層邊界線不夠清晰有部分散射銀殘留的現(xiàn)象,同時也會影響晶片的Q值。用激光刻蝕圖形的方法,對晶片邊緣進行加工,便可以清除邊界殘留銀層,使得晶片表面銀層清晰于凈,時提高晶片的Q值。

利用激光刻蝕圖形工藝進行貼片石英晶振頻率微調(diào),對于準備性有較高的要求,否則就較易刻蝕到晶片本身,因而對于刻蝕圖形形狀,填充間距等要求較高。總的來說,這種工藝比較適用于對調(diào)節(jié)量要求較大,大規(guī)模快速生產(chǎn)的情況,比激光減薄工藝更利于產(chǎn)業(yè)化。

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