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ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進口晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.6*1.0mm

此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫，波峰焊接，回流焊接等，貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝，焊接模式主要使用SMT焊接，給現代SMT工藝帶來高速的工作效率，32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點，此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當時的商業模式很簡單，成為1.6*1.0晶振和時鐘振蕩器的供應商，以支持北美頻率控制市場,在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產品市場需求呈指數級增長和全球化，ILSI通過有機增長和收購應對不斷變化的市場和客戶群。
1995年，ILSI北京中國辦事處開業。1998年，ILSI晶振美國公司搬遷到它現在的位置，這是一個位于內華達州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業。2007年ILSI韓國辦事處的開業完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標，這些實體由直接員工提供，以支持我們在北美，墨西哥，亞洲和歐洲快速增長的客戶群。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進口晶振,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重32.768K晶振研磨用工裝如：游輪的設計及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發生產打下堅實基礎，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發及生產領先于國內其它公司。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

ILSI晶振	單位	IL3W晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.1μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20× 10-6	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/
頻率溫度特征	f_tem	-0.045× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

小體積晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進口晶振
機械振動的影響:當無源SMD晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英SMD晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在排帶式包裝KHZ晶振電路上的的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。ILSI晶振,貼片晶振,IL3W晶振,石英進口晶振

接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過1610貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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驅動能力:驅動能力說明32.768系列貼片封裝晶體振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量二腳貼片晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.輕薄型32.768K晶體,1610石英諧振器,IL3W晶振

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