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Statek-2

1970年，Statek公司開創(chuàng)了石英晶體計時元件小型化技術(shù)，革新了頻率控制行業(yè)。今天，Statek在設(shè)計和制造超微型石英晶體、振蕩器和傳感器方面延續(xù)了創(chuàng)新的傳統(tǒng)。自成立以來，Statek一直是創(chuàng)新、服務(wù)和質(zhì)量的代名詞。所有產(chǎn)品都是在美國設(shè)計、制造和測試的。定制設(shè)計的有限元分析軟件，在構(gòu)建實物原型之前，能夠準(zhǔn)確地進行設(shè)備行為建模，節(jié)省您的時間。通過我們廣泛的設(shè)計和過程庫，從我們過去的成功中獲益。
Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率,低長期老化,低功耗,非常小的足跡,優(yōu)秀的耐沖擊性,超低調(diào),在美國設(shè)計和制造,設(shè)計能力.Statek擁有設(shè)計和分析各種操作模式中所有機械幾何形狀的石英諧振器的專門知識。

JLX-1

Statek-1

Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于SMD晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計不正確、使得振動強烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計特別是外形尺寸的設(shè)計是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

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RB-2

STATEK晶振	單位	CX1HGSMAT晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10~155.52MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200~500μW Max.	推薦:200~500μW
頻率公差	f_— l	±10,20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-55°C~+200°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	4.0,5.5,6.2pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-55°C — +200°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±10× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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CX1HGSMAT

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所有產(chǎn)品的共同:1：抗沖擊:抗沖擊是指無源晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射。Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。）
5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞陶瓷晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

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驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明陶瓷殼封裝晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Statek晶振,貼片晶振,CX1HGSMAT晶振,石英晶振

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過貼片石英晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到工業(yè)級貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在陶瓷面兆級石英晶振振蕩電路的設(shè)計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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