Statek公司是設(shè)計和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者,它宣布了DFXO石英晶體諧振器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點是低相位噪聲和低相位抖動,達到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時鐘應(yīng)用。提出了擴展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C)。內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器。
Statek提供高精確度和高質(zhì)量的石英貼片晶振的醫(yī)療應(yīng)用。產(chǎn)品包裝尺寸小,功耗低,穩(wěn)定性好。我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商。我們的晶體在許多醫(yī)學(xué)應(yīng)用中都有,包括醫(yī)療遙測裝置,起搏器,除顫器,神經(jīng)刺激器,輸液泵,葡萄糖監(jiān)測儀,助聽設(shè)備等等。設(shè)計援助是可用的。Statek的水晶和振蕩器非常堅固,使它們成為環(huán)境要求高的應(yīng)用的絕佳選擇。對于最終的堅固性,我們的晶體和振子可以經(jīng)受住沖擊,超過100,000克。

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去陶瓷晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
STATEK晶振 |
單位 |
CX1HSM晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10~600kHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±2× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±3 × 10-6/-55°C~+200°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
2pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的無源進口晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負任何責(zé)任。
機械振動的影響:當(dāng)歐美晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
振蕩補償:除非在進口貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。Statek晶振,貼片晶振,CX1HSM晶振,無源晶振
測試條件(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量貼片石英晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在陶瓷面貼片晶振泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于聲表面諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。