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首頁 StatekCrystal晶振

Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器

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產品簡介

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

產品詳情

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1970年，Statek公司開創了石英計時元件小型化技術，革新了頻率控制行業。今天，Statek在設計和制造超微型石英晶體、振蕩器和傳感器方面延續了創新的傳統。自成立以來，Statek一直是創新、服務和質量的代名詞。所有產品都是在美國設計、制造和測試的。定制設計的有限元分析軟件，在構建實物原型之前，能夠準確地進行設備行為建模，節省您的時間。通過我們廣泛的設計和過程庫，從我們過去的成功中獲益。Statek擁有設計和分析各種操作模式中所有機械幾何形狀的石英諧振器的專門知識。工程專家援助.
Statek晶振集團所生產的壓電石英晶體、有源晶體,溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）完全符合ISO14001環境管理體系國際標準的要求,體現了一個適合、三個承諾和一個框架：建造美麗家園——適合于我公司的生產活動、產品以及服務過程的性質.規模與環境影響；持續改進——持續改進環境績效和環境管理體系的承諾；減少污染,節能降耗——污染預防的承諾；依法治理——遵守現行適用的環境法律、法規和其他要求的承諾；

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Statek-1

Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機晶體,產品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費電子數碼產品,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術: AT 切型晶振的晶片厚度為：t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度為：t= 2560*n/ f 0,t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標稱頻率(KHz) n: 泛音次數.2.6、晶振的腐蝕技術：用酸液腐蝕掉因研磨而產生的破壞層，消除晶片內應力，同時使石英晶振的晶片達到更準確的目標值。腐蝕頻率=（1000*（F/N）+（F 2 /N 2 ）*PB）*N,F：石英晶振的標稱頻率。 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.

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RB-2

STATEK晶振

單位

CX9VSM晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+125°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW～100μW

頻率公差

f_— l

±100 × 10-6(標準),

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-55°C~+200°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

9pF

不同負載要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-55°C — +200°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

CX9VSM

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RB-4

一般來說，微處理器32.768K的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。 （請參閱芯片組的規格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是音叉貼片晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

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線路連接的電阻（R）與晶體串聯（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。如果無源時鐘晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。

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RB-5

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用4115貼片晶振正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。Statek晶振,貼片晶振,CX9VSM晶振,石英諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過32.768K無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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振蕩補償:除非在32.768K無源貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過4115石英晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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