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首頁 NDK晶振

NDK晶振,貼片晶振,NX1612SA晶振,NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3晶振

NDK晶振,貼片晶振,NX1612SA晶振,NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3晶振NDK晶振,貼片晶振,NX1612SA晶振,NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3晶振

產品簡介

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

產品詳情

NDK-1

NDK晶振集團作為頻率的綜合生產企業,為了向客戶提供高信賴性品質的產品,我們始終追求最高品質的產品生產和服務,以「通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作貢獻」這樣的公司創業理念作為我們的使命,今后也會為社會的[安全、安心、舒適]作出貢獻。請各位繼續給予我們支持!NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振
NDK晶振集團將確保其石英晶振產品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環保機構的相關法規規定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協助政府機關和其他官方組織從事的環保活動。在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經營與生產活動中完全遵守并符合現行所有標準規范的要求。

JLX-1

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NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
NDK貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定。

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RB-2

NDK晶振

單位

NX1610SA晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHz

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

0.1μW Max.

推薦:0.1μW~0.5μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6(標準)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息, http://m.mimatsu-osaka.com/

頻率溫度特征

f_tem

±20 × 10-6/-40°C ~+85°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

6pF/9PF/12.5PF

不同負載電容要求,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +85°C,DL =0.1μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

NX1610SA_1.6_1.0

JLX-4

RB-4

<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環境中使用。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明1610貼片晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,貼片晶振,NX1610SA晶振

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加32.768K貼片晶振振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

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3.負載電容
如果數字水表晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負載電容特征圖器

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振蕩回路參數設置參考

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