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產品簡介

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動晶振,6G通信晶振,網絡終端晶振,數據中心晶振,高速轉換器晶振.

產品詳情

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動晶振,6G通信晶振,網絡終端晶振,數據中心晶振,高速轉換器晶振.

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振特點：

•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS

•相位抖動(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型

•供電電壓:2.5V或3.3V

•包裝選項:

•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)

•5.0 × 3.2 × 1.2毫米

•7.0 × 5.0 × 1.3 mm

•工作溫度:-20℃~ +70℃

•頻率穩定性選項:±20，±25，±50，或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

•工作溫度:-40°C至+85°C

•頻率穩定性選項:±25，±50，或±100 ppm(僅XO)

•±50ppm APR(僅限VCXO)

•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)

•頻率穩定性選項:±50或±100ppm

•kV 85ppm/伏，典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)

•Vc范圍線性度優于±10%

高端數碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振參數表

項目	符號	規格說明	條件
額定頻率	f_nom	52MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	Vcc	3.3V±0.3V
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~ +85℃
頻率公差（標準）	f_tol	±100 ppm	+25℃,超出標準的規格說明請聯系我們以便獲取相關信息
供電電流	IDD	47mA Max	LVDS 40+MHz to 220MHz
差分輸出電壓	VOD	0.6V Max	VDD = 3.3V ±5%.
對稱性	SYM	47%~53%	Atoutputscrossing point
輸出負載	L_LVDS	100Ω	LVDSDifferential.
輸入電壓	VIH	70%VDD Min	LVDS
輸入電壓	VIL	30%VDD Max	LVDS
上升下降時間	tr/tf	400ps Max	LVDS 20% to 80% Vpp
起始時間	t str	10ms Max	VDD達到最小指定水平后輸出有效時間
周期抖動	JPER	3ps Typ	LVDS
相位抖動	tpj	890 fs Typ	12KHZ~20MHz
老化	f_aging	±3ppm/year	+25℃,第一年