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Raltron晶振,插件晶振,AS晶振

頻率：3.500MHz~70.000MHz

尺寸：11.4*4.5mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分.

訂購熱線：0755-27837162

Raltron公司對研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣石英晶體諧振器和振蕩器器件和技術(shù)多年。今天，拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價格，質(zhì)量，應(yīng)用工程和客戶支持Raltron公司正在其邁阿密，佛羅里達州開發(fā)和制造精密振蕩器。設(shè)施，而簡單的水晶諧振器，時鐘振蕩器和濾波器以及天線。
RALTRON晶振集團為確保安全、提高保護預(yù)防措施、貼片晶振的可靠性以及職業(yè)安全，確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性，通過正式的管理評審和對健康、安全和環(huán)境實施效果的持續(xù)改進，保護人群及財產(chǎn)與環(huán)境。

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Raltron晶振,插件晶振,AS晶振.插件型焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.11.4*4.5mm插件晶振,49S型DIP引腳晶體,AS晶振
拉隆石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火，石英貼片晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

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Raltron晶振	單位	AS晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.500MHZ~70.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	500μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±30 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	10pF~32pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。Raltron晶振,插件晶振,AS晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進口晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。11.4*4.5mm插件晶振,49S型DIP引腳晶體,AS晶振
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致貼片石英晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明引腳型石英晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Raltron晶振,插件晶振,AS晶振

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2.振蕩補償
除非在插件石英晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致49S封裝晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。11.4*4.5mm插件晶振,49S型DIP引腳晶體,AS晶振

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