瑞康晶振,壓控溫補晶振,CFPT9050晶振
頻率:1.000MHz~80.000MHz
尺寸:14.70*9.2mm
我們保持技術(shù)和市場領(lǐng)先地位,在個人導(dǎo)航設(shè)備和救援信標等應(yīng)用中占有絕對的市場份額。通過獨特的專有流程,持續(xù)創(chuàng)新和研發(fā),專家咨詢和不斷的技術(shù)進步,實現(xiàn)了市場領(lǐng)先。 瑞康憑借無可挑剔的質(zhì)量控制來支持其獨創(chuàng)性,達到國際最高制造標準。主要以石英晶體技術(shù)為基礎(chǔ),利用其獨特和自然的壓電性能,瑞康產(chǎn)品創(chuàng)造出非常精確的電信號。
瑞康石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英貼片晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算)。瑞康晶振,壓控溫補晶振,CFPT9050晶振
瑞康晶振 |
CFPT9050晶振 |
壓控溫補晶振頻率 |
1.000MHz~80.000MHz |
常用標準頻率 |
16.3676/ 16.368/ 16.369/ 16.8/18.414/ 23.104/ 24.5535/ 26MHz |
工作電壓 |
+2.5V +2.8V +3.0V +3.3V +5.0V+6.0V(代表值) |
靜態(tài)電流 |
(工作時)+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO輸出電壓 |
1Vp-p min. |
TCXO輸出負載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常規(guī)溫度偏差 |
±1.5×10-6 (After 2 reflows) |
頻率溫度偏差 |
±1×10-6/-40℃~+85℃ |
±1×10-6/-40℃~+85℃ |
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體諧振器產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。表貼式溫補振蕩器,石英有源晶振,CFPT9050晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進口貼片晶振產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。瑞康晶振,壓控溫補晶振,CFPT9050晶振
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用進口貼片晶振。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明瑞康有源晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。表貼式溫補振蕩器,石英有源晶振,CFPT9050晶振
2.振蕩補償
除非在VC-TCXO晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致進口壓控溫補振蕩器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。瑞康晶振,壓控溫補晶振,CFPT9050晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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