自1944年創(chuàng)業(yè)以來(lái)，村田得到了巨大的發(fā)展，在2013年度制定的中期構(gòu)想最終年度的2015年度，營(yíng)業(yè)額達(dá)到了在村田的歷史上具有里程碑意義的萬(wàn)億日元。在此衷心感謝廣大客戶和各利益相關(guān)方長(zhǎng)期以來(lái)的大力支持。陶瓷晶振產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到數(shù)碼電子產(chǎn)品,家用電器,比如電話機(jī),游戲機(jī)等電子產(chǎn)品.村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
      在通信市場(chǎng)，由于智能手機(jī)所安裝元件的增加，以及載波聚合技術(shù)的普及，村田的元件及模塊的需求也在不斷地提高，今后，通信市場(chǎng)仍將成為村田的一大支柱。為此，我們將通過(guò)供應(yīng)鏈管理而實(shí)現(xiàn)的穩(wěn)定供應(yīng)體制，以及范圍廣泛的產(chǎn)品陣容，為通信市場(chǎng)提供新的晶振產(chǎn)品價(jià)值。在通信市場(chǎng)，由于智能手機(jī)所安裝元件的增加，以及載波聚合技術(shù)※的普及，村田的元件及模塊的需求也在不斷地提高，今后，通信市場(chǎng)仍將成為村田的一大支柱。為此，我們將通過(guò)供應(yīng)鏈管理而實(shí)現(xiàn)的穩(wěn)定供應(yīng)體制，以及范圍廣泛的產(chǎn)品陣容，為通信市場(chǎng)提供新的價(jià)值。8MHZ日產(chǎn)陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振

      村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
      超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng)，面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題，公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。8MHZ日產(chǎn)陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振

       耐焊性:將陶瓷石英晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
      所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1：抗沖擊:抗沖擊是指進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 
      4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致日產(chǎn)石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。8MHZ日產(chǎn)陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振

        振蕩補(bǔ)償:除非在陶瓷貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振

      測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)8M晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

       晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在3213超小型壓電陶瓷諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
      適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)進(jìn)口陶瓷貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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