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Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進口晶振

頻率：14.7456~49MHZ

尺寸：4.1*1.5mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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Statek在陶瓷晶振封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產品比機械制造的水晶產品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩定性和精密頻率,低長期老化,低功耗,非常小的足跡,優秀的耐沖擊性,超低調,在美國設計和制造,設計能力定制設計的有限元分析軟件，在構建實物原型之前，能夠準確地進行設備行為建模，節省您的時間。通過我們廣泛的設計和過程庫，從我們過去的成功中獲益。Statek擁有設計和分析各種操作模式中所有機械幾何形狀的石英諧振器的專門知識。歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振
Statek公司是設計和制造高可靠性頻率控制產品的領導者，它宣布了DFXO石英晶體諧振器的發布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點是低相位噪聲和低相位抖動，達到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時鐘應用。提出了擴展工業溫度范圍(-40°C + 105°C)。內部解耦電容;不需要外部電容器。

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Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進口晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性，以及提高石英晶振的年老化特性。歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振

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STATEK晶振	單位	CX9SMAT晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	14.7456~49MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+125°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±100 × 10-6 (標準),	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	10pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-55°C — +200°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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這些進口晶振知識介紹是指，晶振在產品上線之后發生不良品或者沒反應的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規則或根本無法全部晶振找出得到了應用操作，請使用以下的清單找出可能存在的問題。請按照確定的因素和可能的解決方案的說明。我們從晶振使用輸出無信號開始尋找相關問題。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進口晶振
我們可以先使用示波器或者頻率計數器來檢查石英貼片晶體終端的兩個信號，如果沒有信號輸出，請按照步驟1-1到1-4步執行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號，而是從在終端（辛）輸出沒有信號，請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。

你可以先把晶體卸載下來并測試進口SMD晶振的頻率和負載電容，看看他們是否能振動，也可以使用專業的石英晶體測試儀器來檢測。如果你沒法檢測你也可以將不良品發送給我公司，我們檢測分析之后告訴你結果。如果有下列情況發生，晶振不起振，首先你先查看你產品上使用的負載電容CL是否對，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產品發送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話，我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下：歐美陶瓷貼片諧振器,二腳4115焊盤晶振,CX9SMAT晶振

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在進口無源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進口晶振
適當的控制電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過陶瓷面無源貼片晶體測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。

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驅動能力:驅動能力說明超薄SMD晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過陶瓷面二腳晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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