鴻星晶振,陶瓷面晶體,E3FB晶振
頻率:10.000MHz~115.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.9mm
公元1991年于臺灣投入石英晶體之研發制造、1991年鴻星電子開始于中國大陸拓展生產基地,至今擁有四處生產基地、九處營銷及FAE據點及十個營銷代表處。鴻星集團,現在,是一家專業生產石英晶體諧振器、晶體振蕩器制造商在世界上。自1979以來,我們一直致力于雙直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體的研究、設計、制造和銷售。
優秀同仁是公司無價的資產,也是公司成長發展的伙伴,更是維系公司競爭力與創造價值的命脈。在以人為本,充分尊重人性的理念上,我們以溝通來達成共識,以相互尊重維系組織和諧氣氛,創造適性的工作環境,讓鴻星成為一個高度凝聚力的大家庭。
鴻星晶振,陶瓷面晶體,E3FB晶振.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統,無線通訊集,高精度和高頻率的穩定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.3225陶瓷面晶振,無源壓電石英晶體諧振器,E3FB晶振
鴻星晶振高精密點膠技術:石英晶振晶片膠點的位置、大小:位置準確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。
鴻星晶振 |
單位 |
E3FB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
10.000MHZ~115.000MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。3225陶瓷面晶振,無源壓電石英晶體諧振器,E3FB晶振
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。3225陶瓷面晶振,無源壓電石英晶體諧振器,E3FB晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩。為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人:茹紅青
手機:13510569637
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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