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Golledge晶振,圓柱晶振,GWX-26晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：2*6mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環境條件下,晶振也能正常工作.

訂購熱線：0755-27837162

GOLL-1

Golledge晶振是英國發展最快的頻率產品供應商。我們在競爭激烈的市場上繼續成功是對我們的產品質量和出色的服務的敬意。總部位于西英格蘭心臟地帶的一個美麗的轉換農場建筑的收集，Golledge向全世界50多個國家的出口，占收入的60%以上。我們多年來一直努力保持我們的產品在頻率控制市場的發展的最前沿。
Golledge商業團隊是該行業最有經驗的團隊之一。我們的知識淵博的工程師和銷售團隊致力于與我們的客戶密切合作，從最初的設計到全面生產。我們的石英晶振產品廣泛應用于電子工業，包括電信、衛星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫療應用。專職it人員確保我們的運營得到最高質量和安全性系統的支持。32.768K插件晶振,進口圓柱音叉晶體,GWX-26晶振

JLX-1

GOLL-2 golledge晶振,32.768K晶振,CM7V晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率.
高利奇貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩定。

JLX-2

golledge晶振	單位	CM7V晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標準), (±20 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.mimatsu-osaka.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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cm7v 3215

JLX-4

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抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環境會導致石英晶體諧振器性能受到損害，因此應避免照射。golledge晶振,32.768K晶振,CM7V晶振
化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。32.768K插件晶振,進口圓柱音叉晶體,GWX-26晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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RB-5

1、振蕩電路
3215無源晶振是無源元件，因此受到電源電壓、環境溫度、電路的影響。
配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩定。只有在做出了這個決定之后，后續的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。golledge晶振,32.768K晶振,CM7V晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，高利奇32.768K晶振也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

限制流入諧振器的電流，調節負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調節負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有
給定負載能力。32.768K插件晶振,進口圓柱音叉晶體,GWX-26晶振
適當的控制電阻值（RD）取決于二腳SMD晶體的類型，頻帶和設備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內- 33 pF左右，僅供參考。