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精工晶振,進(jìn)口晶振,SC-16S晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：1.6*1.0mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線(xiàn)電話(huà),衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線(xiàn)特性.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

精工研發(fā)出最小最輕的音叉晶振，體積僅有4.7*1.2mm（VT-120-F）。不過(guò)這款插件晶振的價(jià)格也是相比VT-200-F單價(jià)比較貴的。還有一款僅次于4.7*1.2mm（VT-120-F），為1.5*5.0mm（VT-150-F）精工一款體積稍微比較大一點(diǎn)貼片晶振SSP-T2A，該貼片晶振具有的特性：高精度表面貼片型晶體諧振器具有耐熱、耐振、耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性。體積8.7*3.7mm，為四腳封裝貼片晶振。SC-16S晶體,超小型32.768K貼片晶振,二腳無(wú)源石英晶體諧振器

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精工晶振,進(jìn)口晶振,SC-16S晶振,是目前精工株式會(huì)社研發(fā)量產(chǎn)中較小的一款,體積只有1.6*1.0mm,雖然小到如同一顆米粒般大小,但SC-16S晶振仍然可以達(dá)到±20ppm的高精確度,最適合用于有小型化要求的電子產(chǎn)品上.

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精工晶振	符號(hào)	SC-16S晶振	精工晶振基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768kHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	精工晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可按客戶(hù)需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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SC-16Scct

抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如SC-16S石英晶體諧振器從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。精工晶振,進(jìn)口晶振,SC-16S晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解超薄型貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用高精度晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。SC-16S晶體,超小型32.768K貼片晶振,二腳無(wú)源石英晶體諧振器
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。精工晶振,進(jìn)口晶振,SC-16S晶振

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。SC-16S晶體,超小型32.768K貼片晶振,二腳無(wú)源石英晶體諧振器
其中CS表示電路的雜散電容。

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