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SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振

頻率:32.768KHz

尺寸:1.54*0.84mm

1508mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.
訂購熱線:0755-27837162
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Sitime-2

    SiTime晶振的MEMS技術起源于博世和斯坦福大學。在我們的創始人創立SiTime之前,他們花了數年時間,在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發挽救生命的MEMS解決方案。我們已經向世界各地的客戶提供了超過7億部份的產品,在MEMS的時間安排上有90%的份額,并且每年都在以超過50%的速度增長。SiTime是兆大公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司。SiTime于2013年進入智能手機市場,第一個是移動電話的MEMS振蕩器,現在可穿戴設備和物聯網應用正在快速增長。
    我們讓oem廠商和ODMs都很容易使用SiTime貼片晶振。我們的QFN振蕩器是100%的替代石英振蕩器,而不需要任何板上的改變。另外,我們的可編程架構使最靈活的產品具有更多的特性和超快的交貨期。SiTime解決方案是一個很容易的選擇——一旦我們的客戶使用SiTime產品,他們很少會回到quartz。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振

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    SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振.是針對電池供電應用而優化的超小型,超低功耗32.768 kHz TCXO。 SiTime的硅MEMS技術使全球最小的封裝和芯片級封裝(CSP)中的首款32 kHz TCXO成為可能。典型的內核電源電流僅為1μA。與標準振蕩器不同的是,SiT1552具有NanoDrive™(工廠可編程輸出),可降低電壓擺幅以最大限度地降低功耗。TCXO頻率穩定性SiT1552在多個溫度點進行出廠校準(微調),以確保在整個溫度范圍內具有極高的穩定性。
    SiTime貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定。

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RB-1

SiTime晶振

標示

SiT1552晶振

晶振基本信息對照表

標準范圍

f0

32.768KHz

 

電源電圧

Vcc

1.5V~3.63V

 

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc1.8V

頻率負載

L_CMOS

15pF

LVCMOS出力

標準頻率偏差

f_tol

±5.0×10-6 max.


初期偏差、
周波數溫度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對稱

SYM

40%60%

50% Vcc

標準時間

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%L_CMOS=15pF

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RB-3

SiT1552 1508 32.768K TCXO

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噪音
    在電源或輸入端上施加執行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發32.768K溫補晶振功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。
電源線路
    電源的線路阻抗應盡可能低。SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振
輸出負載
    建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
    未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
    重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的32.768K晶體振蕩器的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
    進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振
通電
    不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致導航儀有源晶振無法產生振蕩和/或非正常工作。

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RB-5

輸出波形與測試電路
1.時序表

scbx_1

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振

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3.測試電路

scbx_3

JLX-6

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公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯系人:茹紅青

手機:13510569637

電話:0755-27837162

QQ號:657116624

微信公眾號:CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振

郵箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市寶安區41區甲岸路19號

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