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Greenray晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器,T1185晶振

頻率：100.000MHz~800.000MHz

尺寸：14.22*9.14mm

TCXO溫補(bǔ)晶振溫度穩(wěn)定度可達(dá)±0,5PPM,在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數(shù)量的高精度寬溫的制作.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

Greenray格林雷晶振集團(tuán)為幾個(gè)主要市場(chǎng)提供石英晶振,貼片晶振,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等頻率控制解決方案.在軍事市場(chǎng)上,我們?yōu)橹悄軓椝帯?dǎo)彈制導(dǎo)、移動(dòng)接收器和雷達(dá)系統(tǒng)提供產(chǎn)品.Greenray格林雷晶振集團(tuán)致力于研發(fā)生產(chǎn)高精密,性能穩(wěn)定的石英晶體振蕩器,滿足不同客戶的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特點(diǎn).
Greenray晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過(guò)石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.
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Greenray晶振,溫補(bǔ)晶體振蕩器,T1185晶振.具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對(duì)應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對(duì)應(yīng)回流焊）無(wú)鉛產(chǎn)品.滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
格林雷晶振擁有好的相位噪聲和抖動(dòng)的同時(shí)TCXO晶振的設(shè)計(jì)復(fù)雜，體積大，頻率低，造價(jià)高。實(shí)際上相位噪聲和抖動(dòng)是短期頻率穩(wěn)定度的度量，所以一般越高端的晶振，即頻穩(wěn)越好的晶振，這些指標(biāo)也相應(yīng)越好。SMD型TCXO振蕩器,高精度溫補(bǔ)晶振,T1185晶振

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型號(hào)		*T1185晶振 (TCXO)14.229.14mm**
輸出頻率范圍		100~800MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率		16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍		+3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85℃ ±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10-6 max.（VCC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長(zhǎng)期變化	±1.0×10-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	-
	頻率控制極性	-
啟動(dòng)時(shí)間		2.0ms max.

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t1185 14.22 x 9.14 TCXO

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噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音，可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。SMD型TCXO振蕩器,高精度溫補(bǔ)晶振,T1185晶振
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí)，當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí)，電源功率消耗也會(huì)增加；因此，請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時(shí)，請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會(huì)導(dǎo)致進(jìn)口貼片晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明貼片有源晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在定位導(dǎo)航晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致溫補(bǔ)石英晶體振蕩器頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。SMD型TCXO振蕩器,高精度溫補(bǔ)晶振,T1185晶振

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