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Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振

頻率：12.800MHz~155.520MHz

尺寸：14.10*9.02*5.33mm

14*9mm體積的有源晶振電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

訂購熱線：0755-27837162

康納•溫菲爾德公司在所有層次上都致力于滿足客戶的所有要求，通過不斷的測量、審核和改進我們的晶振產品、服務以及質量管理體系的有效性，提高客戶滿意度。我們相信質量在我們的產品組裝之前就已經開始了。通過保持我們的ISO 9001質量體系認證，持續改進我們的流程是我們不斷超越客戶期望的承諾。康納溫菲爾德的子公司和業務單位包括康諾-溫菲爾德全球計時解決方案，NavSync,Ltd .，Janus遠程通信和混合電路工程。
CONNOR-WINFIELD晶振集團建立一種可測量的發展和改進的目標指標，定期進行內審和管理評審。在現有的或新生的各種活動中不斷監測和改進環境績效。通過對溫補晶振生產活動的持續改進和促進對低效或無效的環境法律法規進行合理化轉變，努力提高環境管理中資本的效力。與我們的員工一起開創并保持一個免于事故的工作場所。重視污染預防，消除偏離程序的行為強調通過員工努力這一最可行的方法持續改進我們經營活動的環境績效。Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振

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ConnorWinfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振.產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.面貼片型產品.（可對應回流焊）無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.
康納溫菲爾德有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。TFLD546-012.8M晶振,TFLD546晶振,低電壓溫補晶體振蕩器

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Connor-Winfield晶振	標示	TFLD546晶振	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	12.800MHz~155.520MHz
電源電圧	Vcc	＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負載	L_CMOS	15pF	LVCMOS 出力
標準頻率偏差	f_tol	±4.6×10-6 max.	初期偏差、周波數溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、LVCMOS=15pF

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tx101 9-14 TCXO

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＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規格書中規定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯電阻規格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍以上。Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振
＜晶體振蕩器＞
進口晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態下使用。
＜光學產品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環境中使用。TFLD546-012.8M晶振,TFLD546晶振,低電壓溫補晶體振蕩器

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明9*14mm溫補振蕩器所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振

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2.振蕩補償
除非在低電源電壓型晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致TCXO有源貼片晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。TFLD546-012.8M晶振,TFLD546晶振,低電壓溫補晶體振蕩器

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