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愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
頻率：32.000MHz
尺寸：3.2*2.5*0.9mm
小體積貼片3225mm晶振,外觀小型,表面貼片型有源貼片晶振,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載
愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專(zhuān)業(yè)從事晶體元件的廠商,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）運(yùn)用長(zhǎng)年積累的培育人工石英貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:石英晶體諧振器、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體（IC）稱(chēng)之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為晶體元器件更是離不開(kāi)的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開(kāi)發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開(kāi)拓廣闊前景.
40多年前為支持SEIKO(精工)手表而成立的Epson石英部件部門(mén)強(qiáng)在PC、NB、手機(jī)及消費(fèi)電子等運(yùn)用上,市占率高達(dá)七八成,其中又以32.768K晶振稱(chēng)霸業(yè)界。愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界。1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振.接縫密封溫度補(bǔ)償型石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：溫補(bǔ)晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
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溫補(bǔ)晶振規(guī)格 |
TG-5006CE晶振 |
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溫補(bǔ)晶振頻率 |
13.000MHz～52.000MHｚ |
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常用標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
16.3676/ 16.368/ 16.369/ 16.8/19.2/ 38.4/ 20/ 26MHz |
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工作電壓 |
+1.8V~+3.3V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負(fù)載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常規(guī)溫度偏差 |
±2.0×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±0.5×10-6/-30℃～+85℃ |
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±2.0×10-6/-40℃～+85℃（オプション） |
TG-5006CE晶振系列原廠編碼:
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Model |
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LxWxH | Output Wave | F.Tol@25°C | Ope Temperature |
|
I [Max] | Freq. Control | 25°C Aging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010006 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010008 | TG-5006CE | 16.369000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010010 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010013 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010017 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010020 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-9 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010023 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-8 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010025 | TG-5006CE | 32.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010026 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-8 to +/-14 Vc=0.5 to 2.5V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042010032 | TG-5006CE | 20.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |
輸出頻率和輸出電平
測(cè)量輸出頻率或輸出電平時(shí)一個(gè)晶體振蕩器，調(diào)整輸入阻抗測(cè)量?jī)x器對(duì)3225溫補(bǔ)振蕩器的負(fù)載阻抗振蕩器。當(dāng)測(cè)量?jī)x器的輸入阻抗為不同于晶體振蕩器的負(fù)載阻抗，用高電平測(cè)量輸出頻率或輸出電平阻抗使測(cè)量側(cè)的阻抗可以忽略。
機(jī)械處理
1.沖擊
不要對(duì)溫補(bǔ)晶體振蕩器施加任何強(qiáng)烈沖擊。攜帶振蕩器或?qū)⑵浒惭b在另一個(gè)振蕩器上時(shí)設(shè)備，保護(hù)設(shè)備免受任何沖擊，小心不要放下它或用堅(jiān)硬的物體擊打它。強(qiáng)烈沖擊可能會(huì)導(dǎo)致可能會(huì)損壞晶體振蕩器內(nèi)部的部件導(dǎo)致振蕩器無(wú)法工作。如果振蕩器受到強(qiáng)烈沖擊，請(qǐng)確保在使用之前檢查其特性。
2.安裝引線安裝晶體振蕩器
不要對(duì)端子施加過(guò)大的力安裝進(jìn)口TCXO溫補(bǔ)晶振的螺絲。將晶體振蕩器安裝在印刷電路板上時(shí)，請(qǐng)對(duì)齊安裝孔之間的距離終端。如果強(qiáng)制安裝振蕩器和這些距離彼此不同，終端可以是破損。不要彎曲直徑為0.6mm或以下的密封端子更多。即使需要彎曲直徑的端子0.6毫米或更小，不要直接彎曲它們密封底座，以保護(hù)密封玻璃。如果玻璃破裂，可能會(huì)有氣密密封和絕緣受影響的單位可能無(wú)法交付規(guī)定的特點(diǎn)。
當(dāng)一個(gè)非密封晶體振蕩器（與其產(chǎn)品安裝有用于頻率校正的孔的盒子，小心防止助焊劑進(jìn)入孔中，因?yàn)榭梢苿?dòng)元件，如可變電容器和可變電阻器位于孔的內(nèi)側(cè)。將端子焊接在260°C（溫度為20°C）終端）最多五秒鐘。不要焊接端子直接連接到蓋子或底座。
愛(ài)普生溫補(bǔ)晶振系列型號(hào)表:
| 模型 | 功能 |
尺寸 [mm] |
輸出 頻率 范圍 [MHz] |
頻率容差 [x10 ^ -6] @ + 25°C |
頻率容差/工作溫度 [x10 ^ -6] @ + 25°C |
輸出 波 |
供電電壓 [V] |
|
新 TG2016SMN |
TCXO或 VC-TCXO |
2.0x1.6 x0.73 |
10至55 標(biāo)準(zhǔn)頻率 19.2MHz 26.0MHz 38.4MHz |
+/- 1.5 |
+/- 0.5 / -40至+85 +/- 2.0 / -40至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
新 TG2520SMN |
TCXO或 VC-TCXO |
2.5x2.0 x0.8 |
10至55 標(biāo)準(zhǔn)頻率 19.2MHz 26.0MHz 38.4MHz |
+/- 1.5 |
+/- 0.5 / -40至+85 +/- 2.0 / -40至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
| TG-5006CE |
TCXO或 VC-TCXO |
3.2x2.5 x0.9 |
13至20 25至40 |
+/- 2 |
+/- 0.5 / -30至+85 +/- 2 / -30至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
| TG2520CEN |
TCXO VC-TCXO |
2.5x20 x0.8，更能體現(xiàn) |
12至50歲 | +/- 2 |
+/- 2 / -40到+85 |
CMOS |
2.375 至 3.63 |
| TG3225CEN |
TCXO或 VC-TCXO |
3.2x2.5 x0.9 |
12至50歲 | +/- 2 |
+/- 2 / -40到+85 |
CMOS |
2.375 至 3.63 |
| TG5032CGN |
TCXO VC-TCXO （適用于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)） |
5.0x3.2 x1.45 （10針） |
10到40 | +/- 1 |
+/- 0.1 / -40至+85 +/- 0.25 / -40至+85 +/- 0.28 / -40至+85 |
CMOS |
3.3 Typ。 （2.375至3.63） |
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明溫補(bǔ)晶體振蕩器單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
工控晶振測(cè)試條件：(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他 輸入電容低于 15 pF, 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）
振蕩電路：石英晶體振蕩器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號(hào)：657116624
微信公眾號(hào)：CITIZENCRYSTAL
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地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號(hào)
網(wǎng)址：http://m.mimatsu-osaka.com/
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