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MCU與IOT方案應(yīng)用晶振的封裝參數(shù)選型和特殊要求
MCU與IOT方案應(yīng)用晶振的封裝參數(shù)選型和特殊要求
MCU微處理器和IOT物聯(lián)網(wǎng)都是時下熱門的產(chǎn)業(yè),而且具有比較長久的發(fā)展時間和歷程,都屬于中高端以上的產(chǎn)品,因此它們的設(shè)計方案和采用的電子元器件,要求都比較高.常規(guī)普通的石英晶振一般廠家很少會考慮使用,雖然成本相對比較低,但在在性能和穩(wěn)定性上可能支持不了.MCU模塊應(yīng)用的晶體和振蕩器技術(shù)要求沒那么高,但需要穩(wěn)定性較高的,使用日本或美國進口的石英晶體就足夠了,例如常規(guī)的3225晶振,2520晶振,2016晶振等,尺寸不一定要用極小的,但為了節(jié)省空間和提高性能,通常不會采用較大體積的.
物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展趨勢導(dǎo)致了對16位和32位單片機的需求增加,也增加了對單片機系統(tǒng)時鐘的需求.早期的8位微控制器需要簡單的輸入/輸出接口,因此只有一套高頻(MHz)石英晶體可以提供微控制器所需的系統(tǒng)時鐘,但如今的16位和32位微控制器物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,由于需要更多的輸入/輸出和傳輸接口以及時序要求,高低頻石英晶體諧振器(MHz&KHz)被用來滿足系統(tǒng)時鐘的要求.
A.MHz石英晶體的電路圖設(shè)計和電容匹配；
EX.:在射頻2.4G應(yīng)用中,晶體的公共頻率為16MHz、12pF、10ppm.
根據(jù)設(shè)計公式:12pf=((cl1*Cl2)/(cl1+Cl2))+cs+Ci(cs是PCBA的雜散電容,ci是MCU的結(jié)電容)一般來說,cs+ci=約3pF,所以12-3=9pF,導(dǎo)入公式:cl1=Cl2=18pf∴((18*18)/(18+18))+3pf=12pf.射頻是內(nèi)置反饋電阻,在兆赫晶體電路中為1ω.如果微控制器不是內(nèi)置的,可以添加它.REXT是一個限流電阻,通常不增加.
B.千赫石英晶體的電路圖設(shè)計和電容匹配；
EX.:當(dāng)應(yīng)用于RTC和基帶時,石英晶體常用頻率為32.768K,CL=12.5pF,穩(wěn)定性=20ppm.
根據(jù)設(shè)計公式:12.5pf=((cl1*Cl2)/(cl1+Cl2))+cs+Ci(cs是PCBA的雜散電容,ci是MCU的結(jié)電容)一般來說,cs+ci=約3pF,所以13-3=10pF,導(dǎo)入公式:cl1=Cl2=20pf∴((20*20)/(20+20))+3pf=13pf.射頻是一個內(nèi)置反饋電阻,在千赫晶體電路中為10ω.如果微控制器不是內(nèi)置的,可以添加它.它通常是內(nèi)置的.
C.負(fù)阻抗|R|和振蕩裕量:
通常,在設(shè)計振蕩電路時,另一個重要參數(shù)常常被忽略,即負(fù)阻抗.
電阻測試方法如上所示:
將一個可變電阻連接到晶體電路,調(diào)節(jié)可變電阻,直到晶體沒有輸出頻率,并取下可變電阻,然后測量可變電阻電阻值.該值是振蕩電路中的-R值.
-電阻值應(yīng)為≧5~10)*最大等效串聯(lián)電阻.(其中電子自旋共振是貼片晶振的等效電阻).當(dāng)-R小于3倍時,很容易由于石英晶體的振蕩裕度(振蕩裕度)不足,出現(xiàn)停止振蕩或振蕩不穩(wěn)定、振蕩啟動時間延長等問題.
D.印刷電路板布局設(shè)計說明:
D-1.以下推薦布局適用于3215系列愛普生晶體(3.2*1.5mm、2個焊盤、32.768千赫smd晶體).
D-2.石英晶體的印刷電路板布局設(shè)計和一般考慮:
1. 印刷電路板布局應(yīng)盡可能短,集成電路與晶體之間的距離應(yīng)小于10~15mm
2. 試著把GND層放在水晶下面.
3. 在晶體下面,除了振蕩電路之外沒有靈敏的信號線.
4. 晶體不應(yīng)該盡可能地放置在印刷電路板的邊緣,以避免由于印刷電路板掉落而損壞石英晶片,并且可以布置好GND層.
5. 石英晶體/石英晶體振蕩器是一種熱敏特性與電阻/電阻/電容不同的元件,不要將其放置在PCBA或器件的熱源附近.
6. 金屬罐晶體(如49系列和圓筒DT-26、DT-38系列)不允許直接焊接晶體體(接地),這很容易導(dǎo)致溫度過高,并因晶體內(nèi)部去焊而損壞.
E.金洛鑫電子向物聯(lián)網(wǎng)微處理器推薦晶體/振蕩器
E-1.MHz石英晶體
|
頻率(MHz) |
頻率公差(ppm) |
負(fù)載電容(pF) |
工作溫度(℃) |
尺寸(mm) |
|
40 |
10 |
8,9,10,12 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
32 |
10,20,30 |
8,9,10,12 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
27.12 |
10,20,30 |
8,10,12,20 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
27 |
10,20,30 |
8,9,12,20 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
26 |
10,20,30 |
8,9,10 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
24 |
10,20,30 |
8,9,10,12,20 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
20 |
10,20,30 |
9,10,12,20 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
16 |
10,20,30 |
9,10,12,20 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
12 |
10,20,30 |
8,10,12,20 |
-20~+70 -40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 |
|
8 |
20,30 |
18,20 |
-20~+70 -40~+85 |
5.0x3.2 |
注意:49US、49SMT和49SLMT系列也是可選的.
E-2.MHz晶體振蕩器
|
頻率(MHz) |
頻率公差(ppm) |
電源電壓(V) |
工作溫度(℃) |
尺寸(mm) |
|
1,6,8,11.0592, 12,18.432,20, 24,25,26,27,32, 33.333,40,48, 54,66.667, 100,125,150 |
25,50 |
1.8,2.5,3.0,3.3,5 |
-20~+70 -40~+85 |
SMD 2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
E-3.KHz石英晶體
|
頻率(MHz) |
頻率公差(ppm) |
負(fù)載電容(pF) |
工作溫度(℃) |
尺寸(mm) |
|
32.768KHz |
10,20 |
7,9,12.5 |
-20~+70 -40~+85 |
SMD 1.6x1.0 2.0x1.2 3.2x1.5 6.9x1.4 8.0x3.8 |
E-4.KHz晶體振蕩器
|
頻率(MHz) |
頻率公差(ppm) |
電源電壓(V) |
工作溫度(℃) |
尺寸(mm) |
|
32.768KHz |
±5 |
2.2~5.5 |
-40~+85 |
2.0x1.6 2.5x2.0 3.2x2.5 5.0x3.2 7.0x5.0 |
上表僅列出了通用規(guī)格.其他未列出的規(guī)格包括-40~+125℃寬溫度范圍,請聯(lián)系金洛鑫電子0755-27837162.如以上的規(guī)格都沒有你需要的,可以提出詳細(xì)的要求,我們將提供完善的定制方案,和其他相關(guān)服務(wù),如樣品申請,技術(shù)支持,組裝焊接指導(dǎo)等,讓廣大用戶沒有后顧之憂!
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