鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長(zhǎng)的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn)。Hosonic成立于1979年初,生產(chǎn)的電阻器和電容器,而轉(zhuǎn)向注重石英晶體諧振器產(chǎn)品自第一液晶生產(chǎn)線在臺(tái)灣設(shè)立1991。此后,公司擴(kuò)大了其在中國(guó)大陸生產(chǎn)。因此鴻星建立有機(jī)學(xué)習(xí)成長(zhǎng)的平臺(tái),激勵(lì)跨單位團(tuán)隊(duì)合作的活動(dòng),要為更好的環(huán)境與產(chǎn)品不斷的改善。
在以人為本,充分尊重人性的理念上,我們以溝通來(lái)達(dá)成共識(shí),以相互尊重維系組織和諧氣氛,創(chuàng)造適性的工作環(huán)境,讓鴻星成為一個(gè)高度凝聚力的大家庭。現(xiàn)在,鴻星擁有四個(gè)生產(chǎn)設(shè)施在中國(guó)大陸東、南、和九個(gè)銷售和FAE位點(diǎn)和十個(gè)銷售代表和經(jīng)銷商在世界各地。自1979以來(lái),我們一直致力于雙直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)貼片晶振的研究、設(shè)計(jì)、制造和銷售。
鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù):1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù);2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料,如:磨料、線切割線、槽輪等;3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生產(chǎn)效率。
鴻星晶振 |
單位 |
E3SB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10.000MHZ~115.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-30°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
6pF~20pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如3225貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致金屬殼四腳貼片晶體諧振器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞鴻星3225晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)
3.測(cè)試電路