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智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN

頻率：16.368MHz

尺寸：2.0*1.6mm

貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動貼片系統，產品本身小型，表面貼片晶振，特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域。DSB211SDN晶振為2016進口貼片，是日本KDS大真空生產一款小體積的溫補晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz，支持低電壓，低相位噪音，單體結構，多用于手機、GPS/GNSS、工業用無線通信設備等，也叫智能手機晶振，TCXO振蕩器，石英晶體振蕩器，日本進口晶振。

訂購熱線：0755-27837162

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智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN

貼片石英晶體體積小、焊接可采用自動貼片系統，產品本身小型，表面貼片晶振，特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域，因產品小型。薄型優勢，耐環境特性，包括耐高溫。耐沖擊性等，在移動通信領域得到了廣泛的應用，晶振產品本身可發揮優良的電氣特性，滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

DSB211SDN晶振為2016進口貼片，是日本大真空晶振生產一款小體積的溫補晶振。編碼1XXD16368MGA的晶振頻率為16.368MHz，支持低電壓，低相位噪音，單體結構，多用于手機、GPS/GNSS、工業用無線通信設備等，也叫智能手機晶振，TCXO晶振，石英晶體振蕩器，日本進口晶振。

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智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN

類型	DSB211SDN (TCXO)
頻率范圍	12.288?52MHz
標準頻率	16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍	+1.68 to +3.5V
電源電壓（VCC)	+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗	+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26
輸出電平	0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
輸出負載	10kΩ//10pF
頻率穩定性	±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C ±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
啟動時間	最大 2.0ms
包裝單位	3000 個/卷（Φ180）

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JLX-3 智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN

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JLX-4 智能手機晶振,1XXD16368MGA,溫補晶振,2016進口貼片,DSB211SDN

所有產品的共同點
1、抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害，因此應避免照射。
3、化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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