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KT2016K26000AEU28T,日本進口京瓷晶振,KT2016K小型表面貼裝晶振

頻率:26MHz

尺寸:2016mm

KT2016K26000AEU28T,日本進口京瓷晶振,KT2016K小型表面貼裝晶振,從型號參數上可直觀體現其核心特性:"2016"代表著該晶振的封裝尺寸為2.0mm×1.6mm,屬于典型的小型表面貼裝規格,這種緊湊的設計使其能夠輕松嵌入到智能手機,智能手表,無線傳感器等對空間要求極高的電子設備中.相比傳統較大尺寸的晶振,KT2016K26000AEU28T在安裝時無需占用過多PCB板空間,為設備的輕薄化設計和多功能集成提供了更大的可能性,尤其適合當前消費電子設備追求極致便攜性與外觀精致度的發展方向.
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KT2016K26000AEU28T,日本進口京瓷晶振,KT2016K小型表面貼裝晶振


日本京瓷在晶體材料研發與制造工藝上擁有數十年的技術沉淀,KT2016K26000AEU28T作為其旗下產品,充分繼承了京瓷對品質的嚴苛追求.在核心材料方面,該晶振采用高純度石英晶體作為諧振單元,這種材料具有穩定的物理特性,能夠在不同環境條件下保持穩定的諧振頻率,為晶振的高精度輸出奠定了基礎.在頻率精度上,KT2016K26000AEU28T表現出色,其標稱頻率為26MHz,頻率偏差能夠控制在極小范圍(通常可達到±10ppm以內),確保為電子設備提供精準的時鐘信號.這一特性在通信設備中尤為重要,例如在4G/5G移動終端中,精準的時鐘信號是保障射頻模塊,基帶芯片協同工作的關鍵,能夠有效減少信號傳輸中的誤碼率,提升通信質量.
此外,京瓷通過先進的封裝工藝與可靠性測試,使KT2016K26000AEU28T有源晶振具備優異的環境適應性.在溫度穩定性方面,該晶振能夠在-40℃至+85℃的寬溫范圍內穩定工作,即使在極端溫度變化下,頻率漂移也能得到有效控制;在抗振動與抗沖擊性能上,經過嚴格測試,其可承受一定強度的機械應力,滿足汽車電子,工業控制等領域對元器件可靠性的要求.同時,晶振的密封性設計使其具備良好的抗潮濕,抗腐蝕能力,能夠在多塵,高濕等復雜環境中保持長期穩定運行.


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KT2016K26000AEU28T,日本進口京瓷晶振,KT2016K小型表面貼裝晶振

原廠型號 Original model : KT2016K26000AEU28T 品牌 brand : 京瓷晶振
Manufacturer品牌 京瓷晶振 Operating Temperature溫度  -20 ~ +75°C
Series型號 KT2016K Current - Supply (Max)  -
Type 類型 TCXO Package Height高度 0.8mm
Frequency 頻率 26M Termination  腳位 4 pads
輸出方式 Output: 削峰正弦波 Package Type  封裝類型 4-SMD
Voltage - Supply電壓 2.8V Packaging  包裝 Tape and Reel
Frequency Stability頻率穩定度 ±0.5ppm 安裝方式 Installation : Surface mount
Size / Dimension 尺寸 2016進口貼片 最小包裝數 MPQ : 3000

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KT2016K26000AEU28T,日本進口京瓷晶振,KT2016K小型表面貼裝晶振

KT2016K

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KT2016K26000AEU28T,日本進口京瓷晶振,KT2016K小型表面貼裝晶振

KC2016K1.50000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.50000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K1.84320C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.84320C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.0000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.2400C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.2400C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.5554C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.5554C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K11.2896C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K12.4560C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K12.4560C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -40 105 ± 50 CMOS
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KC2016K12.4560C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.4560C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K12.5000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -40 85 ± 50 CMOS
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KC2016K12.5000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 25 CMOS
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KC2016K125.000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 85 ± 50 CMOS
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KC2016K125.000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 25 CMOS

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